元素百科为您介绍：近日，中国科学院上海科技物理研究所红外物理国家重点实验室研究员胡伟达、武汉大学物理学院廖磊教授等研究人员在铁电局域场加强纳米线光电探测器研究方面取得进展，相关结果以“相关结果”为基础When Nanowires Meet Ultrahigh Ferroelectric Field - High-Performance Full-Depleted Nanowire Photodetectors在国际刊物《纳米快报》上发表了题目。
半导体纳米线前景广阔
半导体纳米线因其优异的光电特性（如超高内禀光电增益、多阵列限光效应、一维量子限制效应等）而受到广泛关注，在室温光电探测领域具有广阔的应用前景。但纳米线在制备过程中不可避免地会引入非故意掺杂或缺陷，从而诱导高浓度的背景载流子，导致纳米线光电探测器暗电流过高。因此，迫切需要通过结构设计来抑制暗电流，提高设备的信噪比，从而提高探测率。
半导体纳米线的特点
研究人员制备了基于铁电局域场增强的单纳米线边栅（side-gate）结构光电探测器采用铁电材料PVDF极化产生的超静电场，完全耗尽了纳米线中的背景载流子，显著抑制了探测器的暗电流，大大提高了探测器的灵敏度。结果表明，铁电材料调节下的纳米线光电探测器可实现室温可见——近红外波段高灵敏度光电探测。此外，该设备还具有功耗低、信号探测弱、响应快等特点。这项工作为室温高性能纳米线光电探测器的研究提供了新的思路。
