元素百科介绍金箔上均为单层二硒化硫单晶，可控合成和在位表征。二维过渡族金属硫化物（TMDCs）继石墨烯之后，它以其独特的能带结构、新颖的物理化学性质、优异的器件和催化性能成为另一种明星材料。其中，二硒化硫(Rese2)具有不同于传统二维TMDCs的结构和性能(低晶格对称性和弱层间耦合性)，在光/电性能上表现出各向异性，在偏振敏感光电探测器、偏振控制器等方面具有很大的应用价值。然而，能够控制高质量、大面积、均匀层厚的Rese2仍面临巨大挑战。此外，目前多晶Rese2类区边界的识别主要依靠拉曼光谱和透射电子显微镜（TEM）等表征手段。TEM识别需要转移样品，这可能会污染和破坏RESE2类区域的边界。因此，目前科研人员关注的热点问题之一是寻找在位类区的边界识别方法。低能电子显微镜/衍射（LEEM/LEED）并扫描隧道显微镜/隧道谱（STM/STS）金属基底上的样品可以直接高分辨，揭示其形状、类别边界/取向、电子结构等本征信息。
最近，北京大学张艳峰研究员、中国科学院大连化学物理研究所傅强研究员团队（联合通信）的研究论文《通信化学》在线发表Direct synthesis and in situ characterization of monolayer parallelogrammic rhenium diselenide on gold foil”，报告了他们在高质量单层单晶Rese2的可控制备及其在位表征研究方面的重要进展。他们认为金箔基底合成rese2有三个优点：（1）硒化物在高温下不与硒发生反应；（2）催化材料的生长；（3）高温下金中原子的溶解度很低。他们认为金箔基底合成rese2有三个优点：（1）硒化物在高温下不与硒发生反应；（2）催化材料的生长；（3）高温下金中原子的溶解度很低。有鉴于此，它们使用常压化学气相沉积（APCVD）方法发现，Rese2遵循金上自限表面催化生长的机制，实现了Rese2高质量均匀单层单晶的制备。此外，由于其各向异性的结构特点，金上合成Rese2的形状是具有特定角度(~119o)的平行四边形。此外，它们使用LEEM/LEED和金箔基底具有良好的导电性STM/STS表征技术实现了单层Rese2原子尺度结构、类区边界和带结构的直接观测。高质量、均匀的单层、单晶Rese2的可控制备和在位表征的一系列结果为材料的基本物理探索和实际应用奠定了坚实的基础。
