元素百科为您介绍中国半导体单晶粉末和设备生产的新突破。6月5日，中国电子科技集团第二研究所（以下简称中国电子科技第二研究所）生产大楼有100台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶在这100台设备中“努力”生长。
中国电力科学第二研究所第一事业部主任李斌说：“我们独立开发和生产了100台SiC单晶生长设备和粉末。我们很自豪，我们可以自己生产。”
SiC单晶是第三代半导体材料，具有大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特点， 它是新一代雷达、卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的核心材料，具有重要的应用价值和广阔的应用前景。
中国电力第二研究所第一事业部主任李斌说：“高纯SIC粉是SIC单晶生长的关键原料。单晶生长炉是SIC单晶生长的核心设备。为了生长高质量的SIC单晶，在高纯SIC粉和单晶生长炉的条件下，还需要设计、调试和优化生产工艺。”
据报道，单晶生长炉需要满足高温、高真空、高清洁度的要求。目前，中国只有两种单晶生长炉可以生产，中国电子科学第二研究所就是其中之一。它们突破了大直径SiC生长的温场设计，实现了150mm直径SiC单晶生长炉的高极限真空、低背景漏率生长炉的设计制造和小批量生产；它们还突破了杂质控制技术、粒度控制技术、晶型控制技术等关键技术，实现了99.995%以上纯度的SiC粉的批量生产。
